IGMR传感器
TLE5010
Infineon Technologies

基于巨磁电阻效应的IGMR传感器
测量角度为0～360°，集成了两个GMR全桥，一个温度传感器，两个A/D转换器，几个稳压器，额外的滤波器和用于持续监测这些器件运行的内部机制。其传感器芯片TLE5010提供了两个数字角度分量：一个正弦函数和一个余弦函数。通过一个SPI接口将传感器连接到8位MCU可以计算一个精确的角度信号。在传感器和MCU之间传输数字型数据意味着降低了易感性干扰，而且用于补偿的集成温度传感器确保了-40～+150℃广泛的温度范围内具有高精确角度。
尽管早在1988年巨磁电阻效应就被发现，其发现者被授予诺贝尔物理学奖却是07年的事。然而Infineon却已经开始将这一效应应用于测量汽车转向角度，并成为世界上第一个开始大批量生产集成巨磁阻抗传感器（IGMR）的半导体供应商。GMR效应用于汽车应用，大大提高了转向精度，利于改善汽车的安全性。我想这就是它受到推崇的原因了。
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