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　电子产品 / 分立半导体 / 正文
Power MOS 8穿通型IGBT系列
日期：2008-6-25
字符大小： 【大】 【中】 【小】
　生产商：上海美高森美半导体有限公司　SHANGHAI MICROSEMI SEMICONDUCTOR CO., LTD.

　产品说明：

高速Power MOS 8绝缘栅双极型晶体管(IGBT)系列产品采用穿通工艺技术，电压为600V和900V，应用对象包括有太阳能逆变器、高性能SMPS以及诸如电焊机、电池充电器和感应加热之类的工业设备。该产品导通损耗低，其600V和900V器件的VCE(ON)（导通压降典型值）分别是2.0V和2.5V，因此使整个电路的效率得到提高。由于开关损耗低，新系列的IGBT器件能够工作在高于100kHz的频率（已经非常接近功率MOSFET的工作频率），而且新系列IGBT的成本较低。Power MOS 8(r) IGBT系列能够提供单个封装的器件，也能够提供与DQ系列快速软恢复二极管封装在一起的组合器件。
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