生产商：赛普拉斯半导体 Cypress Semiconductor
产品说明：
CY14B102（2Mb）和CY14B108（8Mb）非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）的存取时间短至20ns，支持无限次的读写与调用循环，而且数据能保存20年之久，适合需要持续高速写入数据和绝对非易失性数据安全的应用，如服务器、RAID 应用、恶劣环境下的工业控制、汽车、医疗以及数据通信等领域。
这两款nvSRAM 均符合 ROHS 指令，可直接取代SRAM、电池供电的 SRAM、EPROM 及 EEPROM 器件，无须安装电池就能确保可靠的非易失性数据存储。断电时，数据可自动从 SRAM 传输到 nvSRAM 器件的非易失性存储单元。通电时，数据则能从非易失性存储器恢复到 SRAM 中。上述两种操作都能通过软件控制实现。它们采用S8 0.13 微米硅氧化氮氧化硅 (SONOS) 嵌入式非易失性存储器工艺制造而成，具有更高的密度、更短的存取时间以及高出色的性能。
CY14B102和CY14B108支持实时时钟特性，既能实现业界最低的待机振荡器电流，又能确保集成存储器的最高性能，从而在非易失性存储器的支持下可实现事件时间戳功能。
nvSRAM 是业界最佳的高速非易失性存储器解决方案，相对于电池供电的 SRAM 而言，其板级空间更少、设计复杂性更低，而且比磁性随机存储器 (MRAM) 或铁电存储器 (FRAM) 更加经济可靠。
|
