生产商:赛普拉斯半导体 Cypress Semiconductor
产品说明:
CY14B102(2Mb)和CY14B108(8Mb)非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)的存取时间短至20ns,支持无限次的读写与调用循环,而且数据能保存20年之久,适合需要持续高速写入数据和绝对非易失性数据安全的应用,如服务器、RAID 应用、恶劣环境下的工业控制、汽车、医疗以及数据通信等领域。

这两款nvSRAM 均符合 ROHS 指令,可直接取代SRAM、电池供电的 SRAM、EPROM 及 EEPROM 器件,无须安装电池就能确保可靠的非易失性数据存储。断电时,数据可自动从 SRAM 传输到 nvSRAM 器件的非易失性存储单元。通电时,数据则能从非易失性存储器恢复到 SRAM 中。上述两种操作都能通过软件控制实现。它们采用S8 0.13 微米硅氧化氮氧化硅 (SONOS) 嵌入式非易失性存储器工艺制造而成,具有更高的密度、更短的存取时间以及高出色的性能。
CY14B102和CY14B108支持实时时钟特性,既能实现业界最低的待机振荡器电流,又能确保集成存储器的最高性能,从而在非易失性存储器的支持下可实现事件时间戳功能。
nvSRAM 是业界最佳的高速非易失性存储器解决方案,相对于电池供电的 SRAM 而言,其板级空间更少、设计复杂性更低,而且比磁性随机存储器 (MRAM) 或铁电存储器 (FRAM) 更加经济可靠。
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